摩根大通（下称小摩）周日（8日）发布研报指出，SK海力士在小摩韩国大会上释放了强烈信号，指当前存储器产业正迎来比预期更长的上行周期，小摩亦维持对SK海力士的「增持」评等，目标价每股125万韩元，较上周五收盘价隐含约35%的上行空间。
SK 海力士管理层在会上系统阐述了推动上行周期延长的多重因素。 首先，客制化存储器解决方案正重塑市场格局，尤其是HBM的崛起，因其生产过程中存在晶圆到芯片损耗现象，消耗了更大比例的产能，加剧了供给紧张。
其次，AI应用场景的扩展正将需求从高端HBM延伸至传统DRAM和NAND快闪存储器，进一步推升整体需求。
SK海力士管理层明确表示，目前DRAM和NAND两端均面临严峻的供需缺口，供应商及通路客户库存均低于平均水位，出货量与产量增长基本持平，预期价格上涨趋势在可预见的未来将持续。
投资者对长期供货协议（LTA）及周期持续性表现出高度关注。 管理层将当前行业阶段定性为「商业模式转型期」，并将维持上行周期视为首要战略任务。
在LTA框架方面，SK海力士在会上强调更具约束力的双边多年期协议（通常超过三年）对于锁定供货量、价格区间及提升收入和现金流可见性至关重要。
小摩分析指出，SK 海力士正采取更为均衡的LTA策略，在B2B与B2C客户结构之间寻求平衡，同时保持相对保守的定价策略。
在HBM业务方面，SK海力士展现出强劲的领导地位，该公司也重申HBM4的量产爬坡时间表保持不变，小摩预计SK海力士比特出货量将在今年第三季度实现交叉。
SK 海力士对维持 HBM 业务领导地位充满信心，主要靠的是与生态系统合作伙伴的深度协作，以及清晰的技术路线图。
尽管D5/LPD5价格自去年末季以来大幅反弹，SK海力士仍称今年合约量几乎不存在重新议价的可能性，目标是维持与去年相近的获利水平。
资本开支与产能规划方面，SK海力士披露总额约22万亿韩元的基础设施投资计划，核心是工厂优先策略。 该公司位于龙仁的1号厂第一阶段量产时间表已提前三个月，公司正专注于基础设施建设和洁净室设施，以确保产能扩张的灵活性。
SK 海力士龙仁厂的第2至第6阶段则将在2028年至2030年间逐步投产。 该公司管理层透露的龙仁厂设计产能，高于小摩此前预估的每月27万至35万片晶圆，实际规模恐因存储楼设计及1dnm制程部署时间表而有所调整。
此外，SK海力士也展现出更为积极的股东回报立场。 在确立首要实现净现金部位的目标后，该公司1月宣布一兆韩元的特别股息及库存股注销计划，释放了对本轮周期强度和长度充满信心的积极信号。
SK 海力士管理层表示，相比以往周期，该公司现时的现金流可见度更清晰。
综合来看，SK海力士上述说法传递出一个明确讯息：在AI驱动的结构性需求增长、严峻的供需缺口以及更稳健的商业模式转型共同作用下，存储器行业的本轮上行周期不仅强劲，持续时间也可能远超市场当前预期。
