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美光科技:开始为英伟达量产HBM4内存 铜锣厂年底前启动第2座晶圆厂

美光科技(MU-US)周一(16日)在英伟达 GTC 大会上宣布,旗下多款存储器产品已同步进入大规模量产阶段,这些产品均围绕英伟达Vera Rubin平台设计。…

美光科技(MU-US)周一(16日)在英伟达 GTC 大会上宣布,旗下多款存储器产品已同步进入大规模量产阶段,这些产品均围绕英伟达Vera Rubin平台设计。

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美光科技:开始为辉达量产HBM4内存 铜锣厂年底前启动第2座晶圆厂(图:shutterstock)

美光表示,HBM4产线已在今年首季度开始量产并出货,首批产品为36GB的12层堆叠版本,专为Vera Rubin平台打造。 该产品的引脚速率超过11Gb/s,可提供超过2.8TB/s的内存带宽,相比上一代HBM3E提升约2.3倍,同时功耗效率提升超过20%。

此外,美光也指出,目前已向客户提供16层堆叠48GBHBM4的早期样品。 相较于12层版本,该型号单颗容量提升33%,能进一步提升单个HBM位置可用存储器容量。

同日,美光亦称打算在最近从力积电手中收购的铜锣晶圆厂址之一建设第二座大型晶圆制造设施。

美光在最新声明中表示,这座新晶圆制造设施将帮助该公司大幅扩大最先进的数据中心级别DRAM系列产品的供应规模,其中主要包括HBM,以支持持续激增的AI算力需求。 新建设计划预计将于美光2026财年年底之前启动。

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