辉达执行长黄仁勋在摩根士丹利科技大会上向全球存储器产业释出强烈信号，直言DRAM厂商可放心扩产，盖多少产能，英伟达就用多少，显示AI浪潮带动的内存需求仍将持续爆发。
在不少市场人士将存储器、晶圆、先进封装与电力等资源限制视为 AI 产业发展瓶颈之际，黄仁勋却提出不同观点。
他表示，芯片供应紧张反而是「非常好的消息」，因为在资源有限的情况下，企业在采购 AI 基础设施时会更加谨慎，往往直接选择性能最强的解决方案。
黄仁勋指出，在资金与规模优势下，英伟达能在整个供应链提前锁定关键资源，从晶圆到内存再到封装产能都能提前布局，因此更能在供应受限的环境中受益。
他甚至向DRAM厂商喊话：「尽管去建内存厂，你们扩增多少产能，英伟达就会用掉多少。」
黄仁勋进一步提到，他「其实很喜欢限制」，因为当数据中心的土地、电力与空间都受到约束时，企业就必须选择能提供最高运算效率的 AI 系统，而英伟达目前是全球少数能替客户从零打造整座「AI 工厂」的公司，从硬件到软件提供完整解决方案。
目前英伟达已提前锁定大规模AI基础设施所需的关键零组件，包括存储器、晶圆与CoWoS先进封装产能。 即使DRAM价格上涨，公司也不打算缩减备货规模，这也为三星电子、SK海力士与美光等存储器厂商提供明确需求前景。
随着AI芯片持续升级，记忆体需求也大幅提升。 英伟达目前GB300 AI芯片支持的高带宽记忆体（HBM）容量已提升至288GB，高于上一代GB200的192GB。
即将推出的下一代AI平台Vera Rubin虽维持288GBHBM容量，但将从HBM3E升级至HBM4规格。 HBM4 采用16层堆叠设计，相较HBM3E的12层堆叠制程更加复杂，也意味着需要消耗更多存储器产能。
外传韩国两大内存厂三星电子与SK海力士已纳入Vera Rubin平台的HBM4供应链。 由于HBM从晶圆制造到封装完成的周期超过六个月，两家公司最快可能在本月启动量产。
在供应结构方面，市场预估2026年SK海力士将取得英伟达超过一半的HBM采购量（包含HBM3E与HBM4），而三星则有望拿下Vera Rubin平台专用HBM4的大部分订单。
产业预测显示，SK海力士仍将以约50%的全球HBM位产能占比维持龙头地位，但较2025年的59%略有下降; 三星则可望将全球市占从20%提升至28%，追赶态势明显。
美国总统特朗普周一暗示美国与伊朗的战争可能很快结束后，美股黑翻红，费城半导体指数大涨295.66点，或3.93%，收7,810.40点。 英伟达（NVDA-US）扬升2.72%至每股182.65美元。
