《Wccftech》报导称，全球DRAM市场正陷入供给失衡的胶着状态，由于人工智能（AI）浪潮带动高带宽记忆体（HBM）需求暴增，加上各大厂扩产动能受限，预期内存芯片供不应求的局面，将至少持续至2027年前后，市场价格也随之走扬，最快需等到2028年才可望逐步回稳。
目前全球DRAM市场由三星电子、SK海力士及美光科技三大龙头主导，合力掌控约九成市占率，这三家厂商同时也是生产AI核心组件HBM的关键企业。
然而，受限于晶圆供应不足、新厂建设周期长，以及先进制程良率提升缓慢等门槛，三大厂目前的扩产速度显然追不上市场胃口。
数据显示，若要彻底缓解缺货压力，产业年产能需维持12%的成长，但目前的实际增长率仅约7.5%，现有的产能扩张计划仅能满足市场约六成需求，供需缺口仍大。
观察指标性企业的产能布局，三星电子虽然计划在今年启用平泽园区第四厂，但因需兼顾逻辑芯片生产且量产时程推迟，扩产空间受限; 其聚焦HBM的第五座工厂更预计要到2028年后才能贡献产能。
SK 海力士的清州HBM工厂虽已投产，为今年市场提供部分活水，但龙仁新厂最快也要到2027年完工。 美光积极布局美国与新加坡产线，但量产时程多落在2027至2028年间。
业内人士普遍认为，在扩产难度极高的情况下，AI专用存储器的紧绷状态甚至可能延伸至2030年。
在需求侧与成本侧的双重夹击下，产业压力与日俱增。 由于三大厂商优先将资源投入高毛利的AI内存，排挤了通用型记忆体（General DRAM）的产能，导致通用产品从2025年秋季起短缺风险加剧。
今年一季度，存储器价格已显现强劲涨势，环比涨幅预估达90%。 此外，中东地缘政治动荡推升了电力与原料成本，更为供给端增添了不可控的变数。
供应链的紧缩效应已逐步扩散至下游终端产品。 目前全球高达8至9成的内存芯片应用于电脑、智能手机及服务器，其余则分布于车用及工业领域。
随着内存成本飙升，低端智能手机的内存成本占比，预计将从现在的20%翻倍成长，至今年年中逼近40%，这将严重侵蚀手机品牌的利润，迫使厂商下调产量。
同时，汽车零件供应商也正面临内存短缺的经营挑战，全球科技与工业体系恐需在未来数年持续应对这波「内存寒冬」。
