在一段时间明显落后于整体半导体族群之后，高通( QCOM-US ) 股价近期开始重新累积上涨动能。技术分析显示，多项指标已转为偏多讯号，分析认为其股价可能正接近关键压力区的突破阶段。
根据《巴隆周刊》报导，随着多个终端市场逐步回稳，高通在非手机业务的渗透率持续提升，包括车用晶片平台、边缘AI 运算与物联网解决方案等新收入来源开始发挥动能，使市场重新评价其长期成长性。
尽管相较整体半导体族群，高通今年以来表现一度落后，但分析认为，随着产业资金回流晶片族群，其有望补涨并加入整体半导体反弹行情。
近期半导体市场气氛明显转强，追踪产业表现的安硕半导体ETF( SOXX-US ) 甚至出现连续18 个交易日上涨，创下自2021 年成立以来最长连涨纪录。
同族群中，辉达( NVDA-US ) 股价成功突破200 美元关卡，完成双底型态突破；而恩智浦半导体( NXPI-US ) 则在财报激励下单日暴涨超过25%，创下2010 年以来最大单日涨幅。
报导分析称，从日线走势来看，高通出现了典型的「RSI 多头背离」讯号，也就是股价在2 月与4 月持续创下更低低点，但相对强弱指标（RSI）却出现更高低点，显示下跌动能正在减弱。
如技术型态所预示，股价随后出现明显反弹，目前正朝向近两年来首度连续四周上涨的走势迈进。
4 月24 日，高通的11% 跳空上涨完成了「岛状反转」型态。此前该股在2 月5 日因连续第七个财报不佳而跳空低开8.5%。
而在最新交易时段中，高通在财报获市场正面解读后再度上涨约12%，试图摆脱先前的疲弱趋势。
目前高通股价正在逼近184.55 美元的双底突破关键点，同时也正在向上突破200 日均线的长期压力，显示多头动能正在增强。此外，该股本周50 日均线亦首度自去年底以来转为上扬。
在长线预期方面，分析认为，高通股价有机会在2027 年初挑战265 美元，较目前水准约有43% 的上行空间。
技术面显示，只要股价维持在156 美元支撑之上，中期偏多格局仍然成立。
截至周四交易时段，高通股价约在183 美元附近整理。
报导指出，从高通过去五年的周线图来看，可以观察到所谓「整数心理理论」在约18 个月的走势中曾发挥明显影响。
高通在2022 年夏季至2023 年底之间形成一个看跌的「下降三角形」整理型态，期间出现三次低点测试，皆落在100 美元整数关卡上方不远处，形成所谓的「三重底」支撑结构。
最终股价向上突破该整理区间，这通常被视为偏多讯号。接下来的八个月内，高通股价上涨超过一倍，直到2024 年6 月出现一根看跌的「流星线」K 棒。
这个讯号启动了目前的周线「双底筑底」型态，其中包含2025 年4 月11 日当周出现的一根看涨「刺透线」K 棒，以及4 月初形成的低点。
值得注意的是，高通股票近两周成交量明显放大。报导称，随着高通股价突破阻力位，上涨动能正在增强，显示股价上涨的可能性更大。
