AI 热潮持续推升存储器产业景气，但投资逻辑正逐渐改变。
摩根士丹利（MS-US）最新全球科技产业报告指出，全球NAND Flash市场虽然短缺情况可望延续至2027年，但产业已从过去「全面受惠涨价」转向「结构性分化」，建议投资人优先布局DRAM而非NAND，同时在NAND产业链中，更看好具备供给控制能力的原厂，胜过模组厂。
摩根士丹利7月2日发布最新研究报告，重新调整全球NAND供需模型。 报告预估，AI相关NAND需求将从2025年的205 EB快速增加至2026年的400 EB，2027年进一步攀升至609EB，年增率约60%。 AI需求占整体NAND市场比重，也将由2025年的18%，提高至2026年的32%，并于2027年达到41%，成为带动市场成长的主要动能。
整体市场方面，大摩预估全球NAND需求将由2025年的1,111EB增至2026年的1,250 EB，2027年再提高至1,484 EB; 同期供给分别为1,128 EB、1,058 EB及1,347 EB，供需缺口依序为供给过剩2%、供给不足15%及供给不足9%，显示市场即使2027年供给恢复成长，仍难完全满足AI带动的需求。
报告指出，AI 服务器、企业级SSD、QLC储存产品，以及云端服务供货商（CSP）建立安全库存，将持续吸收新增产能，因此即使供给增加，NAND市场仍将维持供不应求。
不过，大摩也提醒，市场需求已开始出现分化。 AI 服务器与企业级产品需求依然强劲，但智能手机、PC 等消费性电子市场已逐渐出现价格承受力下降迹象，第二季涨价后已有部分客户开始削减订单，模组厂及通路商库存同步增加，代表过去全面涨价的行情正逐步结束。
根据通路调查资料，2026年第三季企业级SSD使用的TLCNAND价格预估季增约30%，但消费级NAND产品价格仅小幅上涨; DRAM方面，服务器内存价格预估季增约20%，传统DDR3与DDR4因供应持续收紧及AI需求增加，价格涨幅更可达30%至40%。
摩根士丹利认为，相较于NAND，DRAM具有四大优势。 首先，DRAM长期供货协议（LTA）机制较成熟，客户为确保供应，更愿意接受较高价格; 其次，AI 运算及服务器需求提供较高需求能见度; 第三，极紫外光 （EUV） 曝光设备等先进制程限制供给快速扩张，使供应纪律更佳; 最后，未来HBM4E高带宽记忆体量产，可能进一步排挤一般DRAM产能，使供需维持紧俏。
报告指出，LTA已逐渐改变内存价格波动模式。 供应商与大型客户签订的长约通常设有价格上下限，下限可保障原厂获利能力，上限则限制价格过度飙升，使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。
在NAND产业链方面，大摩建议优先布局原厂，而非模组厂。 原因在于原厂掌握晶圆产能与供给节奏，具有较高定价权及获利韧性; 相较之下，模组厂过去主要依靠低价库存，在景气上升时赚取价差，一旦低成本库存消耗完毕，获利能力往往快速下滑。
虽然AI带动的新一轮景气循环，可能使模组厂获利维持较长时间，但大摩认为，其仍面临三项限制，包括低成本库存将于今年逐步消化完毕、下半年消费性NAND涨价幅度趋缓，以及原厂将更多产能优先供应云端服务供应商，压缩模组厂2026年至2027年的出货成长空间。
此外，超大型云端客户目前多直接向NAND原厂采购，或签订长期供货协议，使模组厂在企业级SSD及AI储存市场的发展受限。 目前亚洲多数SSD模组厂企业级SSD营收占比仍仅约10%至20%，尚不足以完全抵销消费性SSD需求转弱带来的影响。
展望后市，大摩提醒投资人须留意三项主要风险。 首先是 AI 资本支出若放缓，将直接冲击内存需求; 其次为智能手机及PC市场需求疲弱，可能进一步削弱消费性NAND价格; 第三则是2028年新增晶圆产能若大量开出，可能使市场重新陷入供过于求。 不过，若新一代AI推理SSD开始大量导入，单位产品约需消耗一般SSD三倍产能，也可能再次收紧市场供给。
摩根士丹利总结指出，存储器产业多头循环尚未结束，AI仍将持续支撑高阶储存产品需求与原厂获利，但市场已告别「闭眼买都会涨」的阶段，未来投资胜负将取决于企业是否具备定价能力、供给控制力，以及长期需求能见度，其中DRAM优于NAND、原厂优于模组厂，仍是现阶段最看好的投资方向。
