IP 供应商M31 ( 6643-TW ) 今(23) 日于2026 年台积公司北美技术研讨会宣布，其eUSB2V2 介面IP 已于台积电( 2330-TW )( TSM-US ) N2P 制程完成投片(Tape out)。 M31 表示，该成果展现公司在先进制程介面IP 的投入，并将强化2 奈米世代的设计，支援客户于高整合SoC 中导入高速、低功耗的连结介面。
M31 总经理张原熏指出，2 奈米介面IP 需贴合制程平台，方能提升设计效率并加速上市时程，此次完成eUSB2V2 IP 于台积电N2P 制程的投片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键介面、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化2 奈米节点的整体竞争力。
M31 强调，本次能达成投片的里程碑，来自与台积电在先进制程IP 开发的密切合作，包括依循平台设计方法学、针对制程与I/O 条件进行电路与布局层级的调校，并配合平台设计参考流程。在台积电先进节点上验证的IP，有助于提高M31 与台积公司之共同客户提升介面整合、系统验证和产品进度计划的效率。
随着先进节点演进，SoC 朝更高运算密度与更严苛能效(Energy Efficiency) 目标迈进，I/O 介面除了需满足高速传输与相容性，必须在更低工作电压与更紧缩的功耗预算下，维持稳健的讯号品质与可制造性。 M31 本次完成投片的eUSB2V2，针对台积电 N2P 平台特性进行设计、电路与布局层级的协同最佳化，以提升整体效能与功耗效率，并兼顾面积使用效率与系统整合弹性。
技术重点方面，M31 在与既有USB 2.0 生态系相容的前提下，支援1.2V/0.9V 低电压操作，透过强化类比前端设计，包含导入可编程传输去加重(De-emphasis) 与接收端CTLE/VGA 等化技术，显著提升在先进节点下传输通道的稳健性与设计弹性。
在性能表现上，eUSB2V2 最高可支援4.8 Gbps(HS10) 传输速率，并透过全新的等时传输突发机制(Isochronous Burst) 提高同时传输的效率。 eUSB2V2 支援非对称频宽的HSUx/HSDx 模式，预期在标准操作模式下达成50mW 的极佳功耗表现。搭配N2P 制程，尤其适合AI、HPC 与行动装置等追求高效能与低功耗平衡的应用。
展望未来，M31 规划将本次2 奈米eUSB2V2 IP 的开发经验延伸更多台积公司的先进制程，并持续支援AI、边缘运算与智慧终端等成长动能，同时提升IP 平台之长期价值。
