《MarketWatch》报导，美光科技(Micron Technology)( MU-US ) 周二(17 日) 收盘时市值首次突破5,000 亿美元，投资人对公司即将公布的财报更加乐观。
虽然美光在前一个交易日盘中已一度达到该市值里程碑，但周二是首次以收盘价站上该水准。目前在标普500 指数成分股中，市值达5,000 亿美元以上公司仅有15 家。
周二股价上涨4.5%，部分原因是投资人获得利多消息。这家记忆体晶片制造商在周一收盘后表示，其为辉达(Nvidia)( NVDA-US ) 即将推出的Vera Rubin 人工智慧平台提供的下一代高频宽记忆体(HBM) 晶片已进入大规模量产。
这也平息了市场先前的猜测，即美光可能无法成为辉达新一代晶片HBM4 的供应商，或至少初期会缺席。
美光股价周二收在461.69 美元，市值达5,196.4 亿美元。两个月前，美光才首次突破4,000 亿美元市值。
目前除了南韩的SK 海力士(SK Hynix) 与三星电子(Samsung Electronics) 外，美光是唯一能生产HBM4 的厂商。随着AI 模型规模与复杂度持续提升，对这种高阶记忆体产品的需求快速增加。
记忆体市场严重短缺，使主要厂商得以显著提高价格。投资人也看好这项趋势，今年以来美光股价已上涨逾60%。
德银分析师Melissa Weathers 表示，在美光周三公布财报前，记忆体市场基本面仍然强劲，因为需求依然远超过供给。
她在上周的报告中指出，动态随机存取记忆体(DRAM) 市场的供给紧张预计将持续至2027 年，尤其是HBM 相较于传统DRAM 产品需要更多矽晶片。
Weathers 表示，这将让美光能提高DRAM 业务的平均销售价格，进一步推升营收与利润率。
此外，公司周日宣布完成收购力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing) 位于台湾铜锣的P5 厂区。该交易于今年1 月宣布，将扩大美光在台湾的无尘室产能，为生产包括HBM 的DRAM 产品提供更多制造空间。
由于记忆体产业具有高度周期性，晶片制造商过去一直不愿大幅增加产能，以免未来需求下滑。不过，在供给紧张预料将持续的情况下，美光与其他厂商已宣布扩大DRAM 与NAND 产能，此次收购便是其中一例。
Rosenblatt 分析师Kevin Cassidy 表示，他预计这波记忆体景气上行周期至少会持续到2026 会计年度第四季，因为「具有意义的新晶圆产能」至少要到明年年中才会出现。美光则表示，台湾新厂区预计要到2028 会计年度才会开始为现有晶圆厂带来「显著」的出货支撑。
在供给短缺情况下，客户也急于签订长期供应合约以锁定产能与价格。 Cassidy 指出，美光仍需要说服投资人，即使公司增加晶圆产能，也能持续维持这些合约。
投资人也将关注，价格上涨是否会导致需求被抑制，也就是客户因记忆体价格过高而在一段时间内减少采购。 AI 带动的晶片需求也在一定程度上挤压了消费电子市场。
不过RBC Capital Markets 分析师Srini Pajjuri 在周日报告中指出，他预期即使个人电脑与智慧型手机市场的记忆体需求出现一些压力，也将被AI 与资料中心需求所抵销。 Pajjuri 表示，目前资料中心已占DRAM 市场营收的一半以上，他预计对HBM 与DDR 记忆体的需求将持续至2027 年。
分析师对美光第二季的预测显示，公司营收可望达198 亿美元，较去年同期大增145%。市场预期其调整后每股盈余(EPS) 为9.19 美元，净利约103 亿美元，年增幅度达489%。
