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韩媒:三星、SK海力士、美光DDR6记忆体研发启动速度有望达DDR5的两倍

外媒最新报导指出,继LPDDR6 标准问世后,全球前三大记忆体厂商三星、SK 海力士与美光科技正全力冲刺下一代DDR6 标准的研发。…

外媒最新报导指出,继LPDDR6 标准问世后,全球前三大记忆体厂商三星、SK 海力士与美光科技正全力冲刺下一代DDR6 标准的研发。

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韩媒:三星、SK海力士、美光DDR6记忆体研发启动速度有望达DDR5的两倍(图:shutterstock)

南韩媒体《The Elec》周一(4 日) 引述业界消息人士谈话报导,尽管JEDEC(联合电子设备工程委员会)尚未敲定最终规范,但三巨头已要求基板供应商启动设计作业,目标是在量产前夕完成测试样品准备。

根据供应链透露,记忆体厂与基板业者通常会在产品上市前两年以上启动共同开发,而DDR6 的初步研发工作近期才刚展开。业界预估,DDR6 的商用化时程将落在2028 年至2029 年之间。

在效能表现上,DDR6 将较现役的DDR5 有显著跃进。根据先前曝光的JEDEC 路线图,DDR6 传输速度最高可达17.6 Gbps,约为DDR5 规划上限的两倍,将大幅提升系统频宽与运算效率。

值得注意的是,JEDEC 去年先行发布LPDDR6 标准,该标准新增了「x6 子通道模式」,允许在单一封装内堆叠更多记忆体裸片,让系统总容量有望突破512GB。

随着AI 与高效能运算对记忆体容量与频宽需求持续暴增,DDR6 与LPDDR6 的接续问世,将成为支撑未来算力发展的关键基石。

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