在比利时安特卫普5月15日一场半导体活动上，ASML（ASML-US）执行长Christophe Fouquet向路透社确认了一件事。 他已经和马斯克就TeraFab芯片制造项目进行直接沟通。 Fouquet称，马斯克对这件事非常认真。
TeraFab 由特斯拉 （Tesla）（TSLA-US）、SpaceX、xAI 三家公司联合发起。 地点位于德州格兰姆斯 （Grimes），计划把逻辑芯片制造、内存芯片制造与先进封装全部整合进同一座超级厂区。 目标制程直接锁定2纳米及以下。
5 月，SpaceX 向德州地方政府提交备案文件。 初始投资从马斯克3月口头提到的20亿美元，一口气提高至550亿美元。 远期扩建规模最高可达1,190亿美元。 这个数字已远远超过全球任何单一晶圆厂的平均投资规模。
备案文件还揭露完整规划，包括厂区占地、产线配置、供电与供水规格，甚至已细化到分阶段施工图。
再看合作伙伴。 2026 年 4 月，英特尔 （Intel）（INTC-US） 正式宣布加入 TeraFab。 英特尔将提供14A制程技术，相当于亚2纳米节点。
有业界人士估算，在取得英特尔制程IP后，TeraFab量产进度至少可比原规划提前18个月。
ASML新订单已排到2029年
Fouquet 也透露另一项关键讯息。 AI带动的芯片需求爆发，将把全球半导体市场在2030年推升至1.5万亿美元规模。
未来至少5年，整个产业都将处于产能不足状态。 而ASML是全球唯一能供应高端EUV光刻机的厂商。
它的设备，是所有先进制程晶圆厂落地的入场券。
公开订单资料显示，ASML手中的EUV与High-NA EUV订单，已排给台积电（TSM-US）（2330-TW）、三星电子 （Samsung Electronics）、SK 海力士 （SK Hynix）、美光 （Micron）（MU-US）、英特尔等企业。 目前排程已一路延伸到2029年。
Fouquet 还透露，首颗使用 High-NA EUV 光刻机生产的逻辑芯片，将在未来三个月内问世。
早在2025年底，英特尔就在俄勒冈州D1X晶圆厂完成首台Twinscan EXE：5200B的安装验收，成为全球首家取得该机型的客户。
至于 TeraFab，分析师算过一笔帐。 若要跑通2纳米制程，至少需要15台以上High-NA EUV设备，外加近百台DUV设备。
按照ASML目前产能，设备交付周期可能比一般项目再延后两年以上。
《福布斯》3月一份分析提到，马斯克替TeraFab设定的远期目标，是支撑100至200GWAI算力，以匹配其后续规划的轨道数据中心。
但若想真正让这座工厂运转起来，仍须面对两大问题。 第一，是前述设备配额问题。 台积电与三星已锁定2030年前80%的High-NA EUV产能，留给TeraFab的空间相当有限。
第二，则是台积电花了十多年累积出的制造经验。 从设计到制造的协同、良率管控，这些都不是买几台设备就能快速补齐。
即便有英特尔14A制程支持，波士顿顾问公司（BCG）一份被多次引用的报告仍推测，TeraFab若要建立成熟量产线，良率爬坡可能需要六年以上。
此外，TeraFab打算把逻辑、内存与封装全部集中于同一厂区。 这其实与业界长期以来的做法背道而驰。
传统晶圆厂通常将三个环节分散在不同地点，以便单独优化良率并分摊试错成本。 而TeraFab这种集中式布局，只要其中一个环节良率出现波动，就可能拖累整座工厂的产出。
BCG 曾估算，这种模式的试错成本，比传统模式高出三成以上。
对中国芯片产业意味着什么？
TeraFab 新增的设备需求，也将进一步挤压全球先进半导体设备供给。
虽然中国厂商目前仍无法取得EUV与更先进设备，但DUV设备供应也将变得更加紧张。
Fouquet 在同场活动中，也被问到美国拟议中的《MATCH 法案》。 这项法案希望禁止ASML向中国客户销售与维护DUV光刻设备。
Fouquet 当时用了个比喻：「如果把你丢进沙漠里，并告诉你再也得不到食物，你需要多久才能种出自己的菜园？ 这是生存问题。」
他指出，目前ASML出口中国的DUV浸润式设备，其实还是2015年推出的技术，比当前最先进技术落后8个世代。
进一步限制，只会加速中国本土同类设备的自主研发。
中国半导体产业协会2026年4月曾公布了一组数据。 2025年，中国成熟制程产线的DUV设备国产化率已突破30%。 14纳米制程节点也已完成产线验证，并进入小规模量产阶段。
此外，针对DUV设备的自主研发项目，也已在2025年底完成核心技术攻关，目标是在2027年实现量产。
截至2026年5月，TeraFab仍处于前期规划与设备谈判阶段。 工厂最终能否顺利启用、产能规模究竟能做到多大，目前仍存在许多变数。 但算力军备竞赛，显然已经正式展开。
