在三星与SK海力士近期双双延迟第十代NAND Flash量产节点之际，日本铠侠（Kioxia）率先抛出明确的量产时间表，试图抢占技术先机。
近日，铠侠正式将第十代BiCS10 3D NAND快闪存储器的量产列为2026财年（2027年3月止）的首要战略重点。
从技术规格来看，BiCS10采用332层单元堆叠架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%，且配合Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速率从上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps（增幅约33%），同时输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，在标准TLC模式下可实现单颗2Tb的储存容量。
BiCS10 沿用了 CMOS 直接键合阵列 （CBA） 架构，将逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆制造后再键合，有效平衡密度与可靠性。
在生产布局上，铠侠将BiCS10量产任务分配至日本岩手县北上市的K2新工厂，该厂配备专为高层NAND设计的设备，有效压缩资本支出。
摩根士丹利（大摩）在最新报告将铠侠列为产业首选标的，给予「优于大盘」评等，并将目标价从3.3万日元大幅上调至7万日元，潜在涨幅达57%。
大摩看好铠侠的核心逻辑在于，AI推理需求持续爆发导致NAND供需吃紧，加上全产业链库存偏低且厂商资本支出保守，供给难以快速释出。
大摩强调，虽然NAND价格涨幅可能趋缓，但充沛的自由现金流将成为铠侠股价核心支撑，预估2027至2028财年合计自由现金流将达4万亿日元。
展望后市，大摩给出强劲财测数字，预估6月为止第一财季营收达1.75万亿日元，季增率75%，营业利润1.3万亿日元，营业利润率冲上74%。 同时大幅上修平均售价（ASP）预期，今年涨幅从原先的100%上调至240%以上，仅在2027年预期回落15%至20%。
