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中国长鑫存储上市募资扩产引忧虑 美光、SanDisk、SK海力士ADR崩超8%

《巴隆周刊》报导,中国存储器制造商长鑫存储(CXMT)即将启动首次公开募股(IPO),市场预期公司将利用募资所得扩充产能,引发投资人担忧全球DRAM供给增加、价格竞争升温,进而压抑记忆体业者的获利表现,拖累美股记忆体族群周三(15日)遭遇沉重卖压。…

《巴隆周刊》报导,中国存储器制造商长鑫存储(CXMT)即将启动首次公开募股(IPO),市场预期公司将利用募资所得扩充产能,引发投资人担忧全球DRAM供给增加、价格竞争升温,进而压抑记忆体业者的获利表现,拖累美股记忆体族群周三(15日)遭遇沉重卖压。

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中国长鑫存储上市募资扩产引忧虑 美光崩超8% (图:shutterstock)

美光(MU-US)周三狂泻逾8%,收每股904.28美元; SK 海力士ADR(SKHY-US)重挫9.00%,收每股176.46美元; SanDisk (SNDK-US) 也下跌 8.12%,收每股 1,615 美元。

全球第四大DRAM制造商长鑫存储将于周四开始接受投资人申购,并在上海科创板(STAR Market)挂牌上市。 根据规划,公司此次IPO预计募资85.5亿美元,较原先目标接近倍增,隐含市值约855亿美元。

市场认为,这笔募资将协助长鑫存储持续扩充产能、提升全球市占率,也引发投资人对内存供给增加、价格竞争升温的疑虑。

根据Counterpoint Research统计,长鑫存储今年第一季DRAM市占率已由去年同期的3%提升至8%,成为全球第四大DRAM制造商。

不过,长鑫存储与全球领导厂商仍有一段差距。 第一季美光DRAM市占率为22%,韩国SK海力士(SKHY-US)与三星电子(005930-KR)的市占率则更高。

美光约80%的营收来自DRAM业务,其中也包括应用于AI服务器的高带宽记忆体(HBM),这项产品已成为推动公司获利成长的重要动能。

因此市场担心长鑫存储扩大DRAM产能后,将加剧市场竞争,进一步压抑DRAM价格与美光等内存大厂获利表现。

值得关注的是,长鑫存储正面临多项风险。 除了存储器产业固有的繁荣与萧条循环外,美国出口管制限制其向艾司摩尔(ASML)等供货商取得先进芯片制造设备,使公司更难缩小与全球领先业者之间的技术差距。

长鑫存储同时面临地缘政治风险。 美国国防部上月将其列为中国军工企业。

《路透》先前报道,美国一个跨部门委员会也已批准将长鑫存储列入美国商务部实体清单,但相关措施尚未正式生效。

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