2011 年，负债超过15 兆韩元的SK 海力士(HXSCF-US) 深陷记忆体产业低谷。全球DRAM 价格大跌，加上承接前身现代电子与LG 半导体合并后留下的债务，公司成为韩国银行业的不良资产。当时韩国多家大型财阀对这项资产避之唯恐不及，认为半导体产业周期波动剧烈且资本支出庞大，恐怕是一个无底洞。
就在市场普遍看空之际，SK 集团选择逆势出手。 2012 年2 月14 日，SK 集团以取得21.05% 股权的方式正式接手海力士。据资料显示，SK 集团当时透过增发新股方式注资，使资金直接流入公司而非债权银行。外界回忆，SK 集团会长崔泰源当时提出「资讯会成为下一桶石油」的观点，成为其押注记忆体产业的重要依据。
海力士当时的困境可追溯至1997 年亚洲金融风暴后的韩国产业整并政策。 1999 年完成现代电子与LG 半导体整合后，2000 年网路泡沫破裂，DRAM 价格暴跌约75%，导致公司背负沉重债务压力。 2002 年至2007 年间，公司虽数度转亏为盈，但每次刚回稳便再遭半导体景气循环冲击，2008 年金融危机更进一步恶化营运。
接手后，崔泰源改变过去由银行主导的保守经营模式，宣布未来10 年投入46 兆韩元建设3 座晶圆厂与扩大技术研发。就在SK 完成交易两周后，日本DRAM 大厂尔必达宣布破产保护，使全球DRAM 供给收缩并推升价格，海力士也于当年重返获利。
真正改变海力士命运的关键则是高频宽记忆体(HBM)。
2013 年12 月，海力士率先发表全球首款HBM 产品。相较传统DRAM 晶片采水平排列，HBM 采用垂直堆叠设计，大幅缩短资料传输距离，同时提高频宽与效率。 HBM 技术最早源自超微( AMD-US )2007 年启动的专案，当时包括三星电子与其他业者对该市场前景并不看好，海力士则选择投入合作。
然而，海力士率先开发HBM 后并未立即迎来成果。 2016 年三星电子抢先量产HBM2 产品，随后辉达( NVDA-US ) 推出专为AI 计算设计的Tesla P100 GPU，采用三星HBM2 方案。市场竞争失利使海力士一度面临巨大压力，当时HBM 全球需求规模甚至不到整体DRAM 市场的1%，营收无法覆盖研发成本。
即使如此，海力士仍选择持续投入HBM 技术。 2019 年，海力士率先推出HBM2E 产品，效能较前代大幅提升，重新夺回技术优势。此后，公司持续加码MR-MUF 封装技术研发，藉由特殊液态环氧树脂改善高堆叠晶片的散热与良率问题。
市场人士指出，MR-MUF 后来成为HBM3 与HBM3E 量产的重要关键。由于相关材料主要依赖日本供应商，海力士提前建立长期合作优势，也为后续竞争建立技术护城河。
2022 年11 月30 日，OpenAI 推出ChatGPT，AI 产业进入爆发阶段。大型语言模型对记忆体容量与频宽需求急速攀升，使HBM 需求出现爆炸式成长。
以ChatGPT 大型模型为例，单纯模型权重储存容量即达约350GB，实际运行总记忆体需求更达权重容量的3 至5 倍。当时辉达AI 加速器H100 每颗需搭配6 至8 组HBM3 堆叠，而海力士成为全球唯一能稳定量产HBM3 的供应商。
AI 浪潮也迅速反映于财务表现。 2025 年第一季，海力士HBM 全球市占率约达70%。全年营业利益达47.21 兆韩元，首度超越三星电子全公司43.53 兆韩元的水准。值得注意的是，三星电子业务涵盖智慧手机、家电、显示器与晶圆代工等多项领域，而海力士则主要聚焦记忆体产品。
市场预估，2026 年海力士年度获利有望突破人民币1 兆元，公司市值亦逼近1 兆美元。若以2012 年SK 接手时约13 兆韩元市值计算，14 年间增幅约达90 倍。
从一度被视为无人接手的烫手山芋，到成为AI 时代核心受惠者，SK 海力士的崛起不仅是一家企业翻身故事，也凸显高频宽记忆体在AI 基础建设中的战略地位，以及技术押注对产业格局的长期影响。
