韩媒《THE ELEC》周一 （25 日） 报导，美光科技（MU-US）第六代高带宽记忆体 （HBM4） 产能爬坡进展顺利，速度较去年 HBM3 12 层产品提升两倍，良率同步改善。
美光全球运营副总裁Manish Bhatia在摩根大通会议上透露，HBM4将用于英伟达下一代Rubin AI运算平台，成为关键供应商。
美光表示，HBM4效能与稳定性显著提升，得益于HBM3/HBM3E的量产经验，其核心DRAM采用成熟的1β（10纳米5代）制程，搭配自研基底芯片。
在更先进的HBM4E世代，美光将进行战略调整，核心DRAM升级至首次导入EUV的1γ（10纳米6代）制程，基底芯片则不再自研，转由台积电代工。 美光打算在 2027 年量产，首批将推出 JEDEC 标准品，并同步开发客制化版本。
相较于美国竞争对手，三星电子预计今年第二季送出HBM4E样品，基底仍维持自制，SK海力士则打算2026年下半年送样、2027年量产，基底采用台积电3纳米制程。
美光同时设定目标，2026年年中1γDRAM与第9代NAND出货量将占总容量一半以上，使1γ成为该公司最大单一DRAM制程。
业界人士分析，随着AI算力需求激增，HBM技术竞赛进入白热化，美光透过与台积电合作，有望在高效能与良率控制上缩小与韩系大厂差距，争夺AI服务器存储器市场主导权。
