AI 存储器热潮持续狂飙，美光科技（MU-US）周二首度叩关1兆美元市值，不只点燃半导体族群涨势，更带动记忆体股与相关ETF集体喷发，让这场由高带宽记忆体（HBM）引爆的记忆体大战再度升温。
瑞银（UBS）最新报告中指出，AI正改写整个存储器产业规则。 随着长约供货模式增加，未来约三成DDR内存产品可能透过长期合约锁定价格，让过去高度循环的存储器产业逐步走向新模式。
瑞银大幅调升美光目标价，从原先535美元一口气拉高至1,625美元，重申「买进」评等，不仅创下华尔街最高目标价，也意味美光未来12个月仍有逾一倍上行空间。
以此推算，美光市值有望进一步膨胀至约1.8万亿美元。 若达成该目标，美光市值将超越Meta Platforms （META-US）、特斯拉 （TSLA-US），甚至高于伯克希尔哈撒韦（BRK. B-US） 目前规模。
市场资金也迅速做出反应。 美光周二股价大涨19.29%，收在895.88美元，创下2011年11月以来最大单日涨幅，收盘市值正式站上1.01万亿美元。
这波涨势也让美光跃居标普500指数当日最强个股。 统计显示，美光过去一年股价涨幅已暴增约830%，成为近年美股最强AI概念股之一。
周二市场焦点也落在今年4月才成立的Raundhill Memory ETF（DRAM-US）。
该ETF周二再度大涨逾14%，延续近两个月几乎没有降温的强势走势。
这档ETF主要布局内存与储存产业链，成分股涵盖美光科技（MU-US）、三星电子（005930-KR）、希捷科技（STX-US）与Sandisk（SNDK-US）等企业。
根据FactSet数据，DRAM ETF本月以来已飙涨超过50%，自4月成立以来累计涨幅更高达119%，成为近期市场最强势主题ETF之一。
值得注意的是，美国总统川普上周在纽约州造势活动中也特别点名美光，直言：「美光很棒，他们正在投资数千亿美元。」
而这番谈话背后，正是美光近年积极推动的美国制造大计划。
美光先前宣布，未来20年将投入最高1,000亿美元，在纽约州克雷（Clay）打造美国最大半导体工厂，项目已于今年动工，预计2030年投产。
若加计研发与其他布局，美光整体美国投资计划总额已提高至2,000亿美元，全力扩张存储器制造与研发能力。
而这场扩产背后，其实也是一场内存霸权之战。
随着AI服务器、高带宽记忆体与资料中心需求全面爆发，美光正与南韩两大记忆体巨头SK海力士、三星电子正面交锋。 受存储器热潮带动，SK海力士周二上涨5.7%，三星电子也上涨2.2%。
