外媒最新报导指出，全球存储器芯片巨头SK海力士正筹划一场史上规模最大的DRAM产能扩张，力图在AI驱动的半导体新周期中抢占先机。
根据《The Elec》等韩媒披露，SK海力士已向核心供应商通报中长期规划，拟在2030至2031年之间，将DRAM晶圆月投片产能从目前约55万片提升至约100万片，几乎翻倍。
上述蓝图与SK集团会长崔泰源在上周于台北国际电脑展上的公开表态高度吻合，他当时宣称将全速在五年内将整体晶圆产能翻倍。
此次扩产的战略重心集中于韩国龙仁半导体集群。 SK海力士已将龙仁首座晶圆厂的首批设备安装时间从原定的2027年5月提前至2027年2月，加速态势明显。
根据SK海力士规划，龙仁厂将划分六个洁净室，以每约半年新增一间、每间贡献月产6万片的节奏推进，预计2030年上半年新增约每月36万片产能。
目前SK海力士的55万片月产能中，约20万片来自中国无锡工厂，龙仁新增产能叠加清州M15X厂的扩产贡献（今年下半年投产，2027年爬坡至每月8万片），将支撑总产能在2030至2031年间逼近百万片目标。
值得注意的是，所有新增产线目前均指定用于DRAM生产，NAND快闪存储器业务则聚焦提升堆叠层数等技术升级，不盲目扩充晶圆规模。
另据《iNews24》报导，韩国本土材料零组件企业，以及艾司摩尔、泛林研发（Lam Research）、东京电子韩国等国际大厂已陆续迁入或筹备入驻。
不过，供应商对计划落地仍持审慎态态。 消息人士向《The Elec》透露，鉴于扩产规模与推进速度，短期内将带来可观订单增量，但最终能否兑现目标，很大程度取决于AI数据中心等下游需求能否持续消化新增供给。
与此同时，三星电子正加快平泽P4厂的DRAM投资计划，明年投资规模有望较预期每月增加约1万片，业界还预计三星将从2027年次季起为P5产线下发采购订单，相当于2027年每月新增15万片产能。
韩系双雄的同步提速，预示着全球DRAM供给侧将在本十年末迎来显著扩张。 对投资者而言，这一趋势在提振设备与材料供应链短期订单前景的同时，也引发了对中长期供需平衡的关注。
