继在随机存取存储器（DRAM）与闪存（NAND Flash）领域称霸全球后，韩国政府正将战略目光投向被誉为下一个科技金鸡母的「次世代功率半导体」，试图将其打造为堪比内存芯片的国家级核心战略产业。
南韩政府日前正式启动「超创新经济项目」，预计投入5,000亿韩元（约合新台币116亿元）的国家专项资金，全力攻关下一代功率半导体技术。
若加计民间配套资金，该研发项目的总投资规模预计将扩大至7,500亿韩元（约合新台币174亿元），展现南韩政府抢占国际半导体新战场的强烈雄心。
根据《首尔经济日报》报导，这项攸关韩国半导体未来十年竞争力的重大政策，已在韩国副总理兼企划财政部长官具允哲主持的紧急经济指挥部会议上正式敲定。
南韩政府计划于本月内完成次世代功率半导体商业化的技术路线图，并强制要求国内产业链上下游企业，全面参与从上游材料、中游设备与模组，到下游系统演示的完整生命周期开发。
在韩国官方的战略蓝图中，次世代功率半导体已与小型模块化反应炉（SMR）及感测器人工智能（Sensor AI）并列，被视为引领韩国未来经济成长的三大核心引擎。
具允哲强调，政府将以破釜沉舟的决心推进结构性改革与超创新项目，戮力培育出「第二、第三个半导体」神话。
本次韩国国家队的攻关核心，将高度聚焦在以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体（即第三代半导体）。
为此，韩国产业通商资源部先前已特别成立专责工作小组，重点任务在于升级并扩建釜山、浦项等地方专业半导体园区的晶圆厂产能，加速从实验室研发走向规模化量产。
功率半导体作为电能转换与控制的关键组件，在当前AI算力爆发、绿能转型的浪潮中扮演决定性角色。 无论是 AI 数据中心的电力稳定运作、新能源电动车的续航力提升，抑或是智能电网的布建，都极度依赖高品质的功率半导体。
相较于传统的硅基半导体，SiC与GaN等第三代半导体材料具备耐高压、耐高温及高频运作等物理特性，能大幅降低能量损耗，被产业consensus视为优化AI算力能效与电动车电控系统的终极解决方案。
从市场基本面来看，功率半导体产业正迎来新一波强劲的景气上行周期。 根据知名投信与券商的最新研究报告指出，受惠于全球晶圆代工成熟制程产能收缩，加上AI算力需求迎来毁灭式爆发，全球功率半导体市场正呈现结构性供需吃紧。
其中，金氧半场效晶体管（MOSFET）及第三代半导体元件价格欲小不易，部分龙头业者今年内甚至已二度调涨报价。
此外，AI服务器导入800V高压直流电、固态变压器等次世代架构，更进一步加速拉动高阶功率元件的拉货动能，推升SiC与GaN市场进入高速成长通道。
南韩此时举全国之力重金切入，显然企图在欧美美、日及台湾业者环伺的功率半导体版图中，强行超车夺取主导权。
