德意志银行研究部门于周六（20 日）发布报告指出，AI 浪潮对高频宽记忆体（HBM）的庞大需求，正在排挤传统记忆体晶片产能，引发一场规模空前的「储存晶片短缺危机」，甚至开始向整体宏观经济蔓延。
德银强调，记忆体晶片已不再只是传统的周期性大宗商品，而是演变成牵动通膨与企业获利的重要宏观经济变数，其冲击力道已超越半导体产业本身，正逐步扩散至整体经济层面。
报告指出，这波记忆体短缺并非传统的「繁荣与萧条」周期重演，而是一场由AI 驱动的结构性供给冲击。
随着AI 应用从生成式迈向「 AI 代理」（AI Agent）阶段，系统需要储存并调用历史资料、保留对话脉络，须仰赖DDR5、LPDDR、NAND 等多种记忆体协同运作。
德银特别点出所谓「记忆体墙」现象：当运算效能超过一定门槛后，若记忆体频宽无法同步扩张，单纯增加算力的边际效益将趋近于零。换言之，AI 发展速度如今已由记忆体供应决定，而非单纯取决于运算晶片的进展。
该行股票分析师预估，HBM 需求到2030 年的年复合成长率约达40%，标准DRAM 则约21%。与此同时，Meta( META-US ) 、亚马逊( AMZN-US ) 、微软( MSFT-US ) 等云端业者，已透过支付溢价及签署多年期合约来锁定供应。
供给端的核心问题在于时间落差。记忆体晶圆厂从动工到量产通常需要2 至3 年，目前已宣布的扩产计画，最快也要到2027 年才能对HBM 产能产生实质贡献。
此外，HBM 生产特性也加剧了供需矛盾。生产同等单位的HBM，所消耗的矽晶圆约为一般DRAM 的3 倍，随着HBM4、HBM4e 等新一代技术推进，这个比例还将攀升至4 倍。
换句话说，每一片投入HBM 生产的晶圆，等同排挤掉原本可用于汽车、PC 等终端市场的标准DRAM/NAND 产能。
德银最新估算显示，未来五年全球DRAM 每月晶圆产能将增加约147.5 万片，但需求成长速度仍将持续超越供给扩张的步调。
通膨压力扩散 消费电子、汽车产业同受重创
由于记忆体本质上是零和赛局，用于AI 伺服器的HBM 晶圆越多，可分配给智慧型手机、PC、汽车的容量就越少。
这股压力已从晶片端传导至终端产品与宏观价格指标：
- 市调机构TrendForce 预估，2026 年第二季标准DRAM 合约价格将环比上涨58% 至63%，NAND 快闪记忆体合约价格涨幅更达70% 至75%；
- 德银估计2026 全年消费类电子终端市场营收将年减15%；
- DRAM 成本上升预计使一般车辆售价上涨150 至300 美元，高阶自驾车型涨幅可达400 至600 美元；
- 美国电子零组件生产者物价指数（PPI）在2026 年5 月年增26.9%，远高于今年1 月的5.9%。
高通已明确表示，2026 年手机市场规模将由DRAM 供给能力决定，而非消费者实际需求，凸显传统终端产业正面临严峻的产能配给压力。
赢家输家分明 美光获调升目标价
德银报告指出，这波危机正重新塑造产业利益分配。
其中，超大规模云端服务商（如Meta、亚马逊、微软）与头部记忆体厂商（如美光），是明显赢家，拥有强劲定价权；反观汽车、PC、智慧型手机等传统消费电子产业则面临利润压缩与产能短缺的双重打击。
此外，高通已明确表示，2026 年手机市场的规模将由DRAM 供给决定，而非消费者需求。
值得留意的是，目前全球记忆体市场高度集中，三大厂商SK 海力士、美光、三星合计掌控逾90% 的DRAM 市占率，且三家市值均已突破1 兆美元。
美光科技( MU-US ) 方面仅能满足关键客户50% 至三分之二的需求。德银已将美光目标价自1000 美元上调至1500 美元，维持「买入」评等，并预期记忆体短缺局面将持续至2028 年；美光股价今年以来已上涨约260%。
摩根大通同样上修2026 至2028 年全球记忆体市场规模预测，调升幅度达37% 至53%，预估2028 年市场总规模将达1.7 兆美元，其中DRAM 市场营收预计由2025 年的1430 亿美元跃升至2026 年的6360 亿美元。
此外，如此庞大的AI 资本支出能否长期持续仍存在不确定性，一旦AI 商业化进展不如预期，目前的供需格局也可能出现逆转。
