南韩半导体巨头SK海力士已提交美国IPO申请，拟透过发行美国存托凭证（ADR）于纳斯达克交易所挂牌，预计7月10日启动发行、7月29日正式上市，筹资规模上看45.45万亿韩元（约290亿美元），将刷新史上最大ADR发行纪录。
作为英伟达HBM核心供应商，SK海力士此举被市场视为复制台积电ADR路径，试图藉由打入美股主流资金池，消除长期困扰韩企的「韩国折价」问题，拉近与美国同业美光科技的估值差距。
SK 海力士目前掌握全球HBM逾五成市占率，今年Q1营收年增198%、营业利益率达71%，基本面上明显优于多数同业。
然而，SK海力士在首尔交易的预期市盈率仅约3至4倍（部分机构估算远期市盈率约7.5-8倍），大幅低于美光的9倍以上及美SanDisk的近20倍。
分析人士指出，韩国企业因地缘政治敏感度、交叉持股与治理透明度疑虑，长期遭国际资金给予估值折扣，这也就是所谓的韩国折价。
南方东英资产管理首席投资官王毅表示，SK 海力士身处AI资本支出关键瓶颈环节，供应英伟达约六至七成HBM需求，却承担不合理折价，赴美上市正是解决此问题的关键路径。
南韩Eugene Asset Management与Jupiter Asset Management皆预估，若SK海力士2027年远期本益比追平美光，韩股潜在上涨空间约三成，ADR溢价幅度更可达45%，HSBC行亦认为ADR定价较韩股可能享有约20%溢价。
赴美挂牌后，SK海力士将纳入更多美国机构法人与ETF被动资金投资范围，流动性提升有助价格发现。
但业内人士提醒，SK 海力士此役亦是对韩国折价成色的严苛检验。 若ADR上市后估值仍无法向美光靠拢，将暗示折价根源深植于地缘与治理结构，非单靠上市地切换可消解。
另一方面，内存芯片景气循环风险从未消失。 三星与美光正加速HBM扩产，供给缺口可望于未来数季缩小，
部分华尔街基金经理人警告，内存族群出现估值过热信号并开始减码。 高盛近期报告提醒，大量估值红利已被提前反应，任何扰动乐观情绪的消息均恐令股价波动加剧。
南韩金融监管机构周二曾公开表示后悔放行三星与SK海力士杠杆ETF，当日SK海力士股价重挫12.47%，创2008年来单日最大跌幅，亦凸显市场情绪脆弱。
无论结果如何，SK 海力士成为首家赴美发行ADR的韩企，首秀成败将牵动日后三星电子等南韩科技巨擘是否跟进，并为新兴市场优质标的寻求国际公允定价提供重要范例。
