随着台积电( 2330-TW ) 先进封装CoWoS 产能持续吃紧，市场开始将目光转向英特尔( INTC-US ) 的EMIB 封装技术。据悉，英特尔在关键EMIB 制程上已达约90% 的高良率，显示该技术有望在新一代人工智慧（AI）资料中心晶片中扮演更重要角色。
根据《Wccftech》报导，GF 证券科技研究部分析师Jeff Pu 透露，英特尔EMIB 的良率表现令人印象深刻，目前已达到90% 的水准。
他指出，这项数据对英特尔晶圆代工业务而言是重大利多，也说明了外界近期对英特尔代工能力信心回升的原因。
英特尔EMIB 封装技术被视为台积电CoWoS 的替代方案。其中，Google( GOOGL-US ) 将采用英特尔EMIB 封装技术，应用于其下一代TPU 晶片；辉达( NVDA-US ) 则计划将其导入代号「Feynman」的下一代GPU 产品。
此外，Meta( META-US ) 同样是EMIB 技术的客户之一，不过双方合作计画围绕预计2028 年底推出的CPU 展开，相关细节有待后续披露。
英特尔也持续强调EMIB 技术的多项优势，包括提升整体良率、降低功耗与成本，以及支援更大规模「混合节点」系统整合等特点。
据悉，目前EMIB 技术主要分为两种规格：EMIB-M 与EMIB-T。其中EMIB-M 在矽桥接电路中采用金属- 绝缘体- 金属（MIM）电容，以有效降低杂讯、强化电源传输与电路完整性。
相较于传统金属- 氧化物- 金属（MOM）电容，MIM 电容虽成本略高，但稳定性更佳、漏电率更低。
