最新研究报告指出，全球存储器市场可能正迈入一个更长期的供需紧张周期。
根据市场研究机构Citrini Research最新预测，即便计入长鑫存储等中国厂商的产能扩张，到2030年，全球DRAM市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达28.7EB，约占当年总需求的18%，且此缺口规模已接近今年约40EB的全球一年的总产能。
根据Citrini的研究员Zephyr分享的数据，2030年全球DRAM（含HBM）需求预计达157.5EB，供应能力仅约128.8EB，其中普通DRAM将是最大瓶颈，预估供应约每年91EB，需求却高达120EB，缺口比例将从目前的18%扩大至25%左右。
报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的AI需求快速吸收。
造成供需失衡的核心在于AI基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM成为AI加速器核心，连带推升传统服务器DRAM需求。
Citrini 指出，目前预测甚至未完全计入「物理 AI」的潜在增量。 在紧平衡下，DRAM平均售价（ASP）可能长期维持高位，预计落在每Gb1.5-2美元，服务器、PC及消费电子内存成本将持续承压。
尽管 AI 模型效率提升（如量化技术）恐降低单位开销，但业界普遍认为，「杰文斯悖论」将生效，即成本降低反而刺激更多应用落地，进一步放大记忆体需求，这意味着过去「扩产—过剩—降价」的存储器周期规律，恐在 AI 服务器、高效能计算与新兴智能设备驱动下，转向更长时间的结构性紧缺新常态。
